Беспробойные биполярные транзисторы с изолированным затвором и пониженными на 20% потерями
Microsemi впервые представила устройства в новой серии 1200-вольтовых беспробойных биполярных транзисторов с изолированным затвором. По заявлению компании данные транзисторы имеют уменьшенные на 20% суммарные потери на электропроводность и переключениях.
Новые транзисторы улучшают технологию компании Power MOS 8 и нацеливаются на использование в системах сварки, инверторах солнечной энергии, бесперебойных и импульсных источниках питания.
Первые реализуемые продукты серии: APT40GR120B, APT40GR120S и APT40GR120B2D30. Устройства предлагаются как отдельно, так и в комбинации с диодом FRED от Microsemi или карбидокремниевым диодом Шотки для упрощения разработки и производства устройств.
К прочим особенностям новых транзисторов относятся: более низкий заряд затвора для быстрого переключения; переключение с частотой более 80 кГц для более эффективного потребления питания; простота шунтирования (положительный температурный коэффициент Vcesat ) для улучшения надёжности в высоковольтных системах; нормированный показатель времени выдержки при коротком замыкании (SCWT) для надёжной работы в системах, где возможно КЗ.
Транзистор APT40GR120B изготавливается в корпусе TO-247, транзистор APT40GR120S - в корпусе с поверхностным монтажом D3PAK. APT40GR120B2D30 в корпусе T-MAX, включает 30-амперные встречно-включенные диоды, сверхбыстрый диод с накоплением заряда, выполненный по фирменной технологии лавинных диодов DQ с низкими потерями переключения.
Первые два транзистора из серии уже имеют характеристики и находятся в производстве. В данный момент доступны образцы.
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
