SIA427DJ-T1-GE3 datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    SIA427DJ-T1-GE3
  • Производитель
  • Описание
    Vishay Intertechnology SIA427DJ-T1-GE3 Configuration: Single Continuous Drain Current: - 12 A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 12A Drain To Source Voltage (vdss): 8V Drain-source Breakdown Voltage: - 8 V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide Forward Transconductance Gfs (max / Min): 37 S Gate Charge (qg) @ Vgs: 50nC @ 5V Gate Charge Qg: 33 nC Gate-source Breakdown Voltage: 5 V ID_COMPONENTS: 1715975 Input Capacitance (ciss) @ Vds: 2300pF @ 4V Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK?® SC-70-6 Power - Max: 19W Power Dissipation: 3.5 W Rds On (max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V Resistance Drain-source Rds (on): 0.013 Ohms Series: TrenchFET?® Transistor Polarity: P-Channel Vgs(th) (max) @ Id: 800mV @ 250?µA RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: - 8 V Gate-Source Breakdown Voltage: 5 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.013 Ohms Forward Transconductance gFS (Max / Min): 37 S Part # Aliases: SIA427DJ-GE3 Other Names: SIA427DJ-T1-GE3TR
  • Количество страниц
    7 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet SIA427DJ-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 137,33 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Экспресс доставка электронных компонентов - Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.
Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.