SIA419DJ-T1-E3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SIA419DJ-T1-E3
• Производитель
  Vishay Intertechnology
• Описание
  Vishay Intertechnology SIA419DJ-T1-E3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 5 V Continuous Drain Current: 12 A Resistance Drain-Source RDS (on): 30 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PowerPAK SC-70-6L Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 19 W Factory Pack Quantity: 3000 Part # Aliases: SIA419DJ-E3
• Количество страниц
  7 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SIA419DJ-T1-E3.pdf
Файл формата Pdf 106,23 KB