SIA417DJ-T1-E3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSIA417DJ-T1-E3
-
Производитель
-
ОписаниеVishay Intertechnology SIA417DJ-T1-E3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 8 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 5 V Continuous Drain Current: 12 A Resistance Drain-Source RDS (on): 23 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PowerPAK SC-70-6L Fall Time: 45 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3.5 W Rise Time: 25 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 80 ns Part # Aliases: SIA417DJ-E3
-
Количество страниц7 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
20.04.2024
19.04.2024
18.04.2024