SI9945AEY-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI9945AEY-T1-GE3
• Производитель
  Vishay Intertechnology
• Описание
  Vishay Intertechnology SI9945AEY-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 3.7 A Resistance Drain-Source RDS (on): 80 mOhms Configuration: Dual Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOIC-8 Narrow Fall Time: 8 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 11 S Gate Charge Qg: 20 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 2.4 W Rise Time: 10 ns Factory Pack Quantity: 2500 Typical Turn-Off Delay Time: 21 ns Part # Aliases: SI9945AEY-GE3
• Количество страниц
  8 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI9945AEY-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 158,43 KB