SI9407AEY-T1 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSI9407AEY-T1
-
Производитель
-
ОписаниеVishay Intertechnology SI9407AEY-T1 Product Category: MOSFET Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 3.5 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.12 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SO-8 Fall Time: 12 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3 W Rise Time: 10 ns Factory Pack Quantity: 2500 Tradename: TrenchFET Typical Turn-Off Delay Time: 35 ns
-
Количество страниц8 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
29.03.2024
28.03.2024
27.03.2024