SIA417DJ-T1-E3 datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    SIA417DJ-T1-E3
  • Производитель
  • Описание
    Vishay Intertechnology SIA417DJ-T1-E3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 8 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 5 V Continuous Drain Current: 12 A Resistance Drain-Source RDS (on): 23 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PowerPAK SC-70-6L Fall Time: 45 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3.5 W Rise Time: 25 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 80 ns Part # Aliases: SIA417DJ-E3
  • Количество страниц
    7 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet SIA417DJ-T1-E3.pdf
Файл формата Pdf 107,19 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Новости электроники

Еще новости

 ТМЕ в России! - Оплата онлайн, отгрузка от 1 шт. Доставка по РФ!
Оплата онлайн, отгрузка от 1 шт. Доставка по РФ!
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.