SI9945AEY-T1-GE3 datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    SI9945AEY-T1-GE3
  • Производитель
  • Описание
    Vishay Intertechnology SI9945AEY-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 3.7 A Resistance Drain-Source RDS (on): 80 mOhms Configuration: Dual Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOIC-8 Narrow Fall Time: 8 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 11 S Gate Charge Qg: 20 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 2.4 W Rise Time: 10 ns Factory Pack Quantity: 2500 Typical Turn-Off Delay Time: 21 ns Part # Aliases: SI9945AEY-GE3
  • Количество страниц
    8 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet SI9945AEY-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 158,43 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Новости электроники

Еще новости

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.