29.09.2024
2SK2314(Q)
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
2SK2314(Q) datasheet
-
Маркировка2SK2314(Q)
-
ПроизводительTOSHIBA Semiconductor
-
ОписаниеTOSHIBA Semiconductor 2SK2314(Q) Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 27A Drain To Source Voltage (vdss): 100V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 50nC @ 10V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 1100pF @ 10V Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220AB Power - Max: 75W Rds On (max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 15A, 10V Series: - Vgs(th) (max) @ Id: 2V @ 1mA Other Names: 2SK2314Q
-
Количество страниц1 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Новости электроники
28.09.2024
27.09.2024