C3216X7R2E153KT5
![](/img-new/pdf.png)
C3216X7R2E153KT5 datasheet
-
МаркировкаC3216X7R2E153KT5
-
ПроизводительTDK Corporation
-
ОписаниеTDK Corporation C3216X7R2E153KT5 Applications: General Purpose Capacitance: 0.015?µF Features: Low ESR Lead Spacing: - Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55?°C ~ 125?°C Package / Case: 1206 (3216 Metric) Ratings: - Series: C Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) Temperature Coefficient: X7R Thickness: 1.15mm Tolerance: ?±10% Voltage - Rated: 250V Other Names: 445-6074-2
-
Количество страниц16 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Компания Alif Semiconductor представила Ensemble E1C, новую серию микроконтроллеров (MCU) в семействе Ensemble, предназначенную для сочетания надежных цифровых и аналоговых функций с маломощным блоком нейронной обработки (NPU) в компактном корпусе.</p> <p>Компания Alif Semiconductor представила Ensemble E1C, новую серию микроконтроллеров (MCU) в семействе Ensemble, предназначенную для сочетания надежных цифровых и аналоговых функций с маломощным блоком нейронной обработки (NPU) в компактном корпусе.</p>](/images/cache/784e57b3399cc0696f685b3883cd210e.jpg)
24.08.2024
![<p>В условиях роста высокопроизводительных вычислений, вызванного широким внедрением искусственного интеллекта (ИИ) в различные вычислительные системы, центры обработки данных и пограничные устройства, растет спрос на энергоэффективные компоненты.</p> <p>В условиях роста высокопроизводительных вычислений, вызванного широким внедрением искусственного интеллекта (ИИ) в различные вычислительные системы, центры обработки данных и пограничные устройства, растет спрос на энергоэффективные компоненты.</p>](/images/cache/8b5f1c13ce9fd0617a2a53e7394dc0f0.jpg)
23.08.2024
![<p>Компания Cambridge GaN Devices (CGD) представила два новых корпуса для серии ICeGaN силовых ИС на основе нитрида галлия (GaN), разработанных для улучшения тепловых характеристик и упрощения процессов проверки. Эти корпуса, являющиеся разновидностями надежных корпусов типа DFN, отличаются повышенной прочностью и надежностью.</p> <p>Компания Cambridge GaN Devices (CGD) представила два новых корпуса для серии ICeGaN силовых ИС на основе нитрида галлия (GaN), разработанных для улучшения тепловых характеристик и упрощения процессов проверки. Эти корпуса, являющиеся разновидностями надежных корпусов типа DFN, отличаются повышенной прочностью и надежностью.</p>](/images/cache/8a2cc64274023d12d1e64370f9be6525.jpg)
22.08.2024