Описание
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
12.03.2025
SUD50N03-09P-GE3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
МаркировкаSUD50N03-09P-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SUD50N03-09P-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 63 A Resistance Drain-Source RDS (on): 9.5 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-252-3 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 7.5 W Factory Pack Quantity: 2000
-
Количество страниц7 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла176,41 KB
SUD50N03-09P-GE3 datasheet скачать
Новости электроники
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
Возникающие проблемы в тестировании беспроводных коммуникаций
11.03.2025
Развитие 5G RF-дизайна: сочетание гибридного соединения и RFSOI для модулей фронтального тракта следующего...
11.03.2025
