SUD50N02-09P-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SUD50N02-09P-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SUD50N02-09P-GE3 Product Category: N-Channel MOSFETs RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 20 A Rds On: 9.5 mOhms Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-252-3 Brand: Vishay / Siliconix Fall Time: 12 ns Forward Transconductance - Min: 15 S Gate Charge Qg: 10.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 6.5 W Rise Time: 10 ns Series: Power MOSFET Factory Pack Quantity: 2000 Tradename: TrenchFET Typical Turn-Off Delay Time: 25 ns
• Количество страниц
  5 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SUD50N02-09P-GE3.pdf
Файл формата Pdf 67,29 KB