Описание
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
12.03.2025
SUD50N02-09P-GE3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
МаркировкаSUD50N02-09P-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SUD50N02-09P-GE3 Product Category: N-Channel MOSFETs RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 20 A Rds On: 9.5 mOhms Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-252-3 Brand: Vishay / Siliconix Fall Time: 12 ns Forward Transconductance - Min: 15 S Gate Charge Qg: 10.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 6.5 W Rise Time: 10 ns Series: Power MOSFET Factory Pack Quantity: 2000 Tradename: TrenchFET Typical Turn-Off Delay Time: 25 ns
-
Количество страниц5 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла67,29 KB
SUD50N02-09P-GE3 datasheet скачать
Новости электроники
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
Возникающие проблемы в тестировании беспроводных коммуникаций
11.03.2025
Развитие 5G RF-дизайна: сочетание гибридного соединения и RFSOI для модулей фронтального тракта следующего...
11.03.2025
