SI3435DV-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  SI3435DV-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI3435DV-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 12 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 4.8 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.073 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 1.1 W Factory Pack Quantity: 3000 Part # Aliases: SI3435DV-GE3
• Количество страниц
  6 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  93,62 KB

SI3435DV-T1-GE3 datasheet скачать

SI3435DV-T1-GE3 datasheet