SI3417DV-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI3417DV-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI3417DV-T1-GE3 Product Category: N-Channel MOSFETs RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: - 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 8 A Rds On: 30 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Brand: Vishay / Siliconix Fall Time: 16 ns Forward Transconductance - Min: 23 S Gate Charge Qg: 32 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 4.2 W Rise Time: 35 ns Factory Pack Quantity: 3000 Tradename: TrenchFETr Typical Turn-Off Delay Time: 40 ns
• Количество страниц
  11 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI3417DV-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 228,63 KB