SI1869DH-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI1869DH-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Vishay Intertechnology SI1869DH-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N and P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Continuous Drain Current: 1.2 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.165 Ohms Configuration: Dual Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-70-6 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 1 W Part # Aliases: SI1869DH-GE3 Channel Type: Dual N & P Channel Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V Drain-Source On Resistance-Max: 303 m?© Rated Power Dissipation: 1 mW
• Количество страниц
  7 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI1869DH-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 99,94 KB