STP34NM60ND datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  STP34NM60ND
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP34NM60ND Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 29 A Resistance Drain-Source RDS (on): 110 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Fall Time: 61.8 ns Gate Charge Qg: 80.4 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 190 W Rise Time: 53.4 ns Typical Turn-Off Delay Time: 111 ns
• Количество страниц
  16 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  190,76 KB

STP34NM60ND datasheet скачать

STP34NM60ND datasheet