STP34NM60N datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    STP34NM60N
  • Производитель
  • Описание
    STMicroelectronics STP34NM60N Configuration: Single Continuous Drain Current: 29 A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 29A Drain To Source Voltage (vdss): 600V Drain-source Breakdown Voltage: 600 V Fet Feature: Standard Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 80nC @ 10V Gate-source Breakdown Voltage: 25 V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 2722pF @ 100V Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: Through Hole Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Formed Leads Power - Max: 210W Power Dissipation: 210 W Rds On (max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 14.5A, 10V Resistance Drain-source Rds (on): 0.092 Ohms Series: MDmesh?„? Transistor Polarity: N-Channel Vgs(th) (max) @ Id: 4V @ 250?µA Product Category: MOSFET RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V Gate-Source Breakdown Voltage: 25 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.092 Ohms Other Names: 497-10884-5
  • Количество страниц
    12 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet STP34NM60N.pdf
Файл формата Pdf 173,30 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Экспресс доставка электронных компонентов - Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.
Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.