STP25N10F7 datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    STP25N10F7
  • Производитель
  • Описание
    STMicroelectronics STP25N10F7 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 25 A Rds On: 35 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Brand: STMicroelectronics Fall Time: 4.6 ns Gate Charge Qg: 14 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 50 W Rise Time: 14 ns Series: STP25N10 Factory Pack Quantity: 50 Typical Turn-Off Delay Time: 14.8 ns
  • Количество страниц
    21 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet STP25N10F7.pdf
Файл формата Pdf 2,80 MB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.