STP24N60DM2 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSTP24N60DM2
-
Производитель
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP24N60DM2 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 18 A Rds On: 200 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Brand: STMicroelectronics Fall Time: 15 ns Gate Charge Qg: 29 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 150 W Rise Time: 8.7 ns Series: STP24N60 Factory Pack Quantity: 50 Typical Turn-Off Delay Time: 60 ns
-
Количество страниц21 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
20.04.2024
19.04.2024
18.04.2024