STP20NM65N datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  STP20NM65N
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP20NM65N Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 18 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.19 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Fall Time: 20 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 160 W Rise Time: 10 ns Typical Turn-Off Delay Time: 80 ns
• Количество страниц
  17 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet STP20NM65N.pdf
Файл формата Pdf 264,14 KB