STP20N65M5 datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    STP20N65M5
  • Производитель
  • Описание
    STMicroelectronics STP20N65M5 Continuous Drain Current: 18 A Drain-source Breakdown Voltage: 650 V Fall Time: 7.5 ns Gate Charge Qg: 36 nC Gate-source Breakdown Voltage: +/- 25 V Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 130 W Resistance Drain-source Rds (on): 0.19 Ohms Rise Time: 7.5 ns Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.19 Ohms
  • Количество страниц
    21 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet STP20N65M5.pdf
Файл формата Pdf 652,89 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.