STP1N105K3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSTP1N105K3
-
Производитель
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP1N105K3 Continuous Drain Current: 1.4 A Drain-source Breakdown Voltage: 1050 V Fall Time: 50 ns Gate Charge Qg: 13 nC Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 60 W Resistance Drain-source Rds (on): 11 Ohms Rise Time: 7 ns Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel Typical Turn-off Delay Time: 27 ns RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 1050 V Resistance Drain-Source RDS (on): 11 Ohms Typical Turn-Off Delay Time: 27 ns
-
Количество страниц16 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
28.03.2024
27.03.2024
26.03.2024