STP1N105K3 datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    STP1N105K3
  • Производитель
  • Описание
    STMicroelectronics STP1N105K3 Continuous Drain Current: 1.4 A Drain-source Breakdown Voltage: 1050 V Fall Time: 50 ns Gate Charge Qg: 13 nC Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 60 W Resistance Drain-source Rds (on): 11 Ohms Rise Time: 7 ns Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel Typical Turn-off Delay Time: 27 ns RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 1050 V Resistance Drain-Source RDS (on): 11 Ohms Typical Turn-Off Delay Time: 27 ns
  • Количество страниц
    16 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet STP1N105K3.pdf
Файл формата Pdf 273,06 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.