STP18NM60ND datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  STP18NM60ND
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP18NM60ND RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 13 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.29 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Fall Time: 18 ns Gate Charge Qg: 34 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 130 W Rise Time: 15.5 ns Typical Turn-Off Delay Time: 13 ns
• Количество страниц
  22 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet STP18NM60ND.pdf
Файл формата Pdf 3,54 MB