STP18N65M5 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSTP18N65M5
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP18N65M5 Continuous Drain Current: 9.4 A Drain-source Breakdown Voltage: 650 V Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 110 W Product Category: MOSFET Resistance Drain-source Rds (on): 0.22 Ohms Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.22 Ohms
-
Количество страниц19 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
24.04.2024
23.04.2024
22.04.2024