STP180N10F3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  STP180N10F3
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP180N10F3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V Continuous Drain Current: 120 A Resistance Drain-Source RDS (on): 4.5 mOhms Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Fall Time: 6.9 ns Gate Charge Qg: 114.6 nC Power Dissipation: 315 W Rise Time: 97.1 ns
• Количество страниц
  16 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet STP180N10F3.pdf
Файл формата Pdf 160,21 KB