Описание
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
12.03.2025
STP140N8F7 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
МаркировкаSTP140N8F7
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP140N8F7 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 80 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 90 A Rds On: 4.3 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Brand: STMicroelectronics Fall Time: 44 ns Gate Charge Qg: 96 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 200 W Rise Time: 51 ns Series: STP140N8F7 Factory Pack Quantity: 50 Typical Turn-Off Delay Time: 82 ns
-
Количество страниц20 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла2,71 MB
STP140N8F7 datasheet скачать
Новости электроники
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
Возникающие проблемы в тестировании беспроводных коммуникаций
11.03.2025
Развитие 5G RF-дизайна: сочетание гибридного соединения и RFSOI для модулей фронтального тракта следующего...
11.03.2025
