STP13N80K5 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  STP13N80K5
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP13N80K5 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 12 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.37 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Fall Time: 16 ns Gate Charge Qg: 29 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 190 W Rise Time: 16 ns Typical Turn-Off Delay Time: 42 ns
• Количество страниц
  20 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  3,13 MB

STP13N80K5 datasheet скачать

STP13N80K5 datasheet