STP13N60M2 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  STP13N60M2
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP13N60M2 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 11 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.38 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Fall Time: 9.5 ns Gate Charge Qg: 17 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 110 W Rise Time: 10 ns Typical Turn-Off Delay Time: 41 ns
• Количество страниц
  18 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet STP13N60M2.pdf
Файл формата Pdf 2,71 MB