STP11N65M5 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  STP11N65M5
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP11N65M5 Continuous Drain Current: 9 A Drain-source Breakdown Voltage: 650 V Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 85 W Resistance Drain-source Rds (on): 0.48 Ohms Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.48 Ohms
• Количество страниц
  25 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet STP11N65M5.pdf
Файл формата Pdf 670,09 KB