Описание
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
12.03.2025
STP11N65M5 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
МаркировкаSTP11N65M5
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP11N65M5 Continuous Drain Current: 9 A Drain-source Breakdown Voltage: 650 V Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 85 W Resistance Drain-source Rds (on): 0.48 Ohms Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.48 Ohms
-
Количество страниц25 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла670,09 KB
STP11N65M5 datasheet скачать
Новости электроники
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
Возникающие проблемы в тестировании беспроводных коммуникаций
11.03.2025
Развитие 5G RF-дизайна: сочетание гибридного соединения и RFSOI для модулей фронтального тракта следующего...
11.03.2025
