STP110N55F6 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  STP110N55F6
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP110N55F6 Continuous Drain Current: 110 A Drain-source Breakdown Voltage: 55 V Gate Charge Qg: 120 nC Maximum Operating Temperature: + 175 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 150 W Resistance Drain-source Rds (on): 5.2 mOhms Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V Resistance Drain-Source RDS (on): 5.2 mOhms
• Количество страниц
  11 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  106,55 KB

STP110N55F6 datasheet скачать

STP110N55F6 datasheet