STB18N65M5 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  STB18N65M5
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STB18N65M5 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: 25 V Continuous Drain Current: 15 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.198 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: D2PAK Fall Time: 9 ns Gate Charge Qg: 31 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 110 W Rise Time: 7 ns
• Количество страниц
  18 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  493,26 KB

STB18N65M5 datasheet скачать

STB18N65M5 datasheet