STB150N3LH6 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  STB150N3LH6
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STB150N3LH6 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V Continuous Drain Current: 80 A Resistance Drain-Source RDS (on): 3 mOhms Configuration: Single Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: D2PAK Fall Time: 40 ns Gate Charge Qg: 80 nC Power Dissipation: 110 W Rise Time: 85 ns Typical Turn-Off Delay Time: 100 ns
• Количество страниц
  15 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  276,34 KB

STB150N3LH6 datasheet скачать

STB150N3LH6 datasheet