STB100N10F7 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  STB100N10F7
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STB100N10F7 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 80 A Rds On: 8 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: D2PAK-3 Brand: STMicroelectronics Fall Time: 15 ns Gate Charge Qg: 61 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 150 W Rise Time: 40 ns Series: STB100N10 Factory Pack Quantity: 1000 Typical Turn-Off Delay Time: 46 ns
• Количество страниц
  23 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  3,06 MB

STB100N10F7 datasheet скачать

STB100N10F7 datasheet