RUU002N05T106 datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    RUU002N05T106
  • Производитель
  • Описание
    Rohm RUU002N05T106 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 50 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 200 mA Rds On: 1.6 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: UMT3 Brand: ROHM Semiconductor Fall Time: 55 ns Forward Transconductance - Min: 0.4 S Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 200 mW Rise Time: 6 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 15 ns
  • Количество страниц
    6 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet RUU002N05T106.pdf
Файл формата Pdf 120,71 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.