RSR010N10TL datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаRSR010N10TL
-
Производитель
-
ОписаниеRohm RSR010N10TL Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 1 A Rds On: 370 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSMT3 Brand: ROHM Semiconductor Fall Time: 15 ns Forward Transconductance - Min: 1 S Gate Charge Qg: 3.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 1 W Rise Time: 9 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 22 ns
-
Количество страниц12 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
28.03.2024
27.03.2024
26.03.2024