RSR010N10TL datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    RSR010N10TL
  • Производитель
  • Описание
    Rohm RSR010N10TL Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 1 A Rds On: 370 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSMT3 Brand: ROHM Semiconductor Fall Time: 15 ns Forward Transconductance - Min: 1 S Gate Charge Qg: 3.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 1 W Rise Time: 9 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 22 ns
  • Количество страниц
    12 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet RSR010N10TL.pdf
Файл формата Pdf 548,98 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.