MTB4N80E-D datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаMTB4N80E-D
-
Производитель
-
ОписаниеTMOS E-FET High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
-
Количество страниц11 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
28.03.2024
27.03.2024
26.03.2024