MTB4N80E-D datasheet

MTB4N80E-D datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

Маркировка

MTB4N80E-D
Производитель

ON Semiconductor
Описание

TMOS E-FET High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
Количество страниц

11 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet MTB4N80E-D.pdf
Файл формата Pdf 245,99 kB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

КУПИТЬ MTB4N80E-DФорма запроса откроется в новом окне Как сюда попасть?

Новости электроники

Vicor анонсировала неизолированный повышающий преобразователь постоянного тока 12–48 В, при помощи которого датацентры с распределённым 12-В питанием смогут задействовать ГПУ с рабочим напряжением 48 В.

Повышающий DC/DC-преобразователь 12..48 для поддержки производительных ГПУ в датацентрах

Ampleon анонсировала выпуск 200-Вт модуля усилителя мощности BPC10M6X2S200, основанного на технологии LDMOS и предназначенного для разнообразного оборудования...

200-ваттный усилительный модуль на базе технологии LDMOS от Ampleon

Фирма CAP-XX анонсировала разработку тонких 3-вольтовых суперконденсаторов призматической формы, предназначенных для схем носимых устройств, брелков-контроллеров и оборудования IoT, где требуются мгновенные пиковые токи.

CAP-XX выпустит тонкие 3-В суперконденсаторы

Еще новости

Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Электронные компоненты и радиодетали

Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.