PDTB123ES,126 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  PDTB123ES,126
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PDTB123ES,126 Current - Collector (ic) (max): 500mA Current - Collector Cutoff (max): 500nA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Power - Max: 500mW Resistor - Base (r1) (ohms): 2.2K Resistor - Emitter Base (r2) (ohms): 2.2K Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 50V Other Names: 934059142126, PDTB123ES AMO
• Количество страниц
  10 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  1,20 MB

PDTB123ES,126 datasheet скачать

PDTB123ES,126 datasheet