PBSS4350D,135 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  PBSS4350D,135
• Производитель
  Philips Semiconductors
• Описание
  Philips Semiconductors PBSS4350D,135 Product Category: Transistors Bipolar - BJT RoHS: yes Configuration: Single Transistor Polarity: NPN Collector- Base Voltage VCBO: 60 V Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V Maximum DC Collector Current: 3 A Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz DC Collector/Base Gain hfe Min: 200 at 500 mA at 2 V, 200 at 1 A at 2 V, 100 at 2 A at 2 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP DC Current Gain hFE Max: 200 at 500 mA at 2 V Maximum Power Dissipation: 750 mW Minimum Operating Temperature: - 65 C Factory Pack Quantity: 10000 Part # Aliases: /T3 PBSS4350D
• Количество страниц
  9 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  92,58 KB

PBSS4350D,135 datasheet скачать

PBSS4350D,135 datasheet