BSS123-TAPE-13
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
BSS123-TAPE-13 datasheet
-
МаркировкаBSS123-TAPE-13
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors BSS123-TAPE-13 Package Shape: RECTANGULAR Package Style: SMALL OUTLINE Surface Mount: Yes Terminal Form: GULL WING Terminal Position: DUAL Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Power Dissipation Ambient-Max: 0.2500 W Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL Drain Current-Max (ID): 0.1500 A Feedback Cap-Max (Crss): 10 pF DS Breakdown Voltage-Min: 100 V Drain-source On Resistance-Max: 6 ohm
-
Количество страниц4 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
09.09.2024
08.09.2024
07.09.2024