MCPRM02WJW33KB00

MCPRM02WJW33KB00 datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

Маркировка

MCPRM02WJW33KB00
Производитель

Multicomp
Описание

Multicomp MCPRM02WJW33KB00 No. Of Pins: 2 Power Rating: 2W Resistance: 0.33ohm Resistance Tolerance: ?‚?± 5% Resistor Case Style: Radial Leaded Resistor Element Material: Wirewound Temperature Coefficient: ?‚?± 400ppm/?‚?°C
Количество страниц

2 шт.
Формат

PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
Размер файла

484,55 KB

MCPRM02WJW33KB00 datasheet скачать

MCPRM02WJW33KB00 datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Новости электроники

<p>Компания Infineon Technologies AG стала первопроходцем в разработке первой в мире технологии производства мощных 300-миллиметровых пластин на основе нитрида галлия (GaN), что знаменует собой значительный шаг вперед в полупроводниковой индустрии. Этот технологический прорыв открывает новые возможности для массового производства силовых полупроводников, необходимых для широкого спектра приложений.</p>

Infineon представила первую в мире 300-миллиметровую мощную GaN-технологию

06.10.2024

<p>На недавних тестах MLPerf впервые появился топовый графический процессор AMD MI300X, что стало важным событием на рынке высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта (ИИ). В течение длительного времени Nvidia удерживала лидирующие позиции благодаря своей передовой линейке ускорителей, таких как H100 и новейший H200.</p>

AMD сокращает разрыв с Nvidia в бенчмарках MLPerf

05.10.2024

<p>Компания Shin-Etsu Chemical Co. Ltd начала поставки образцов своей новой подложки QST диаметром 300 мм (12 дюймов), специально разработанной для выращивания эпитаксиального слоя нитрида галлия (GaN). Это достижение следует за предыдущими предложениями компании: подложками QST диаметром 150 мм (6 дюймов) и 200 мм (8 дюймов), а также эпитаксиальными подложками GaN на QST. В ответ на растущий спрос Shin-Etsu успешно увеличила диаметр подложки до 300 мм, что обещает снизить затраты и улучшить производство устройств на базе GaN.</p>

Shin-Etsu Chemical разработала подложку диаметром 300 мм для выращивания GaN

04.10.2024

Еще новости

Золотая осень в ТМ Электроникс

Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Электронные компоненты и радиодетали

Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.