22-12-1042
![](/img-new/pdf.png)
22-12-1042 datasheet
-
Маркировка22-12-1042
-
ПроизводительMOLEX
-
ОписаниеMOLEX 22-12-1042 Body Material: 6/6 Nylon Color: Natural Connector Type: Header, Unshrouded Contact Finish: Gold Contact Finish Thickness: 13.8?µin (0.35?µm) Contact Gender: Pin (Male) Contact Material: Brass Contact Mating Length: 0.295" (7.49mm) Contact Plating: Tin Contact Type: Male Pin Current Rating: 3A Fastening Type: Friction Lock Features: - Housing Material: Nylon ID_COMPONENTS: 4082645 Latching Type: Unlatched Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant Mounting Angle: Right Mounting Style: Through Hole Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number Of Positions: 4 Number Of Positions / Contacts: 4 Number Of Positions Loaded: All Number Of Rows: 1 Pitch: 0.098" (2.50mm) Product Type: Headers - Pin Strip Row Spacing: - Series: KK?® 5046 Termination: Solder Termination Style: Solder Pin Voltage Rating: 250V Product Category: Headers & Wire Housings RoHS: yes Type: Pin Strip Number of Positions / Contacts: 4 Number of Rows: 1 Brand: Molex Factory Pack Quantity: 600 Tradename: KK Part # Aliases: 0022121042 Other Names: 22121042
-
Количество страниц2 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Компания Micron Technology Inc. объявила о начале поставок своей NAND флэш-памяти девятого поколения (G9), которая устанавливает новый стандарт в отрасли хранения данных. NAND G9 от Micron, теперь интегрированная в твердотельные накопители, достигает беспрецедентного уровня производительности, обеспечивая самую высокую скорость передачи данных в отрасли — 3,6 ГБ/с. Это достижение укрепляет позиции компании Micron как лидера в технологии NAND, обеспечивая значительное повышение производительности и эффективности для широкого спектра приложений.</p> <p>Компания Micron Technology Inc. объявила о начале поставок своей NAND флэш-памяти девятого поколения (G9), которая устанавливает новый стандарт в отрасли хранения данных. NAND G9 от Micron, теперь интегрированная в твердотельные накопители, достигает беспрецедентного уровня производительности, обеспечивая самую высокую скорость передачи данных в отрасли — 3,6 ГБ/с. Это достижение укрепляет позиции компании Micron как лидера в технологии NAND, обеспечивая значительное повышение производительности и эффективности для широкого спектра приложений.</p>](/images/cache/1645995a8060240112305bc57eec0e13.jpg)
05.09.2024
![<p>Компания STMicroelectronics представила VL53L4ED, новое дополнение к линейке времяпролетных (ToF) датчиков, которое отличается расширенным диапазоном рабочих температур от -40°C до 105°C. Это делает датчик идеальным для применения в жестких условиях, таких как промышленные инструменты, оборудование "умных" фабрик, системы управления роботами, системы управления наружным освещением и системы безопасности, где экстремальные условия являются обычным делом.</p> <p>Компания STMicroelectronics представила VL53L4ED, новое дополнение к линейке времяпролетных (ToF) датчиков, которое отличается расширенным диапазоном рабочих температур от -40°C до 105°C. Это делает датчик идеальным для применения в жестких условиях, таких как промышленные инструменты, оборудование "умных" фабрик, системы управления роботами, системы управления наружным освещением и системы безопасности, где экстремальные условия являются обычным делом.</p>](/images/cache/d811e4b36ef7380db0c06e7150fbb656.jpg)
04.09.2024
![<p>Недавние обновления стандарта DDR5 SDRAM, проведённые Ассоциацией твердотельных технологий JEDEC, значительно повысили безопасность, надёжность и возможности управления питанием памяти. Компания Rambus также интегрировала в модули DDR5 DIMM усовершенствованные функции управления питанием, что стало особенно актуально на фоне растущих нагрузок в области искусственного интеллекта (ИИ) и повышенных требований к вычислительной мощности.</p> <p>Недавние обновления стандарта DDR5 SDRAM, проведённые Ассоциацией твердотельных технологий JEDEC, значительно повысили безопасность, надёжность и возможности управления питанием памяти. Компания Rambus также интегрировала в модули DDR5 DIMM усовершенствованные функции управления питанием, что стало особенно актуально на фоне растущих нагрузок в области искусственного интеллекта (ИИ) и повышенных требований к вычислительной мощности.</p>](/images/cache/9ca198926f8e58e8c8a83e4d0e144143.jpg)
03.09.2024