MG12300D-BN2MM
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
MG12300D-BN2MM datasheet
-
МаркировкаMG12300D-BN2MM
-
ПроизводительLittelfuse
-
ОписаниеLittelfuse MG12300D-BN2MM RoHS: yes Product: IGBT Silicon Modules Configuration: Dual Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V Continuous Collector Current at 25 C: 480 A Gate-Emitter Leakage Current: 400 uA Power Dissipation: 1450 W Maximum Operating Temperature: + 125 C Package / Case: Module Brand: Littelfuse Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting Style: SMD/SMT Series: Dual IGBT Factory Pack Quantity: 3000
-
Количество страниц1 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
19.09.2024
18.09.2024
17.09.2024