2N6796TXV datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    2N6796TXV
  • Производитель
  • Описание
    Intersil 2N6796TXV Package Shape: ROUND Package Style: CYLINDRICAL Terminal Form: WIRE Terminal Position: BOTTOM Number of Terminals: 3 Package Body Material: METAL Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 8 A DS Breakdown Voltage-Min: 100 V Drain-source On Resistance-Max: 0.1800 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 32 A
  • Количество страниц
    5 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet 2N6796TXV.pdf
Файл формата Pdf 147,60 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.