2N6796TXV datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
Маркировка2N6796TXV
-
Производитель
-
ОписаниеIntersil 2N6796TXV Package Shape: ROUND Package Style: CYLINDRICAL Terminal Form: WIRE Terminal Position: BOTTOM Number of Terminals: 3 Package Body Material: METAL Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 8 A DS Breakdown Voltage-Min: 100 V Drain-source On Resistance-Max: 0.1800 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 32 A
-
Количество страниц5 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
28.03.2024
27.03.2024
26.03.2024