2N6786TXV datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  2N6786TXV
• Производитель
  Intersil
• Описание
  Intersil 2N6786TXV Package Shape: ROUND Package Style: CYLINDRICAL Terminal Form: WIRE Terminal Position: BOTTOM Number of Terminals: 3 Package Body Material: METAL Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 1.25 A DS Breakdown Voltage-Min: 400 V Drain-source On Resistance-Max: 3.6 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 5.5 A
• Количество страниц
  5 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  173,88 KB

2N6786TXV datasheet скачать

2N6786TXV datasheet