2N6764TX datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
Маркировка2N6764TX
-
Производитель
-
ОписаниеIntersil 2N6764TX Package Shape: ROUND Package Style: FLANGE MOUNT Terminal Form: PIN/PEG Terminal Position: BOTTOM Number of Terminals: 2 Package Body Material: METAL Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 38 A DS Breakdown Voltage-Min: 100 V Drain-source On Resistance-Max: 0.0550 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 70 A
-
Количество страниц4 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
29.03.2024
28.03.2024
27.03.2024