5SMY12H1280 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
Маркировка5SMY12H1280
-
Производитель
-
ОписаниеABB 5SMY12H1280 Mfr Package Description: 9.10 X 9.10 MM, DIE-2 Package Shape: SQUARE Package Style: UNCASED CHIP Surface Mount: Yes Terminal Form: NO LEAD Terminal Position: UPPER Number of Terminals: 2 Package Body Material: UNSPECIFIED Configuration: SINGLE Number of Elements: 1 Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL Transistor Type: INSULATED GATE BIPOLAR Turn-on Time-Nom (ton): 415 ns Turn-off Time-Nom (toff): 630 ns Collector Current-Max (IC): 57 A Collector-emitter Voltage-Max: 1200 V
-
Количество страниц6 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
18.04.2024
17.04.2024
16.04.2024