08.05.2024
NE85633-T1B-A
Характеристики NE85633-T1B-A
-
ПроизводительNEC
-
Transistor TypeNPN
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
-
Frequency - Transition7GHz
-
Noise Figure (dB Typ @ f)1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
-
Gain9dB
-
Power - Max200mW
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
-
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
-
Тип монтажаSurface Mount
-
Исполнение / КорпусSOT-23
-
УпаковкаTape & Reel (TR)
-
Supplier Device Package
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
07.05.2024
06.05.2024