08.05.2024
BFG310W/XR,115
Характеристики BFG310W/XR,115
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
Transistor TypeNPN
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)6V
-
Frequency - Transition14GHz
-
Noise Figure (dB Typ @ f)1dB @ 2GHz
-
Gain18.3dB
-
Power - Max60mW
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 3V
-
Current - Collector (Ic) (Max)10mA
-
Тип монтажаSurface Mount
-
Исполнение / КорпусCMPAK-4
-
УпаковкаTape & Reel (TR)
-
Supplier Device Package
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
07.05.2024
06.05.2024