04.05.2024
IXFN360N15T2
Характеристики IXFN360N15T2
-
СерияGigaMOS™
-
ПроизводительIXYS
-
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
-
FET FeatureStandard
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs4 mOhm @ 60A, 10V
-
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C310A
-
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA
-
Gate Charge (Qg) @ Vgs715nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds47500pF @ 25V
-
Power - Max1070W
-
Исполнение / КорпусSOT-227, miniBLOC
-
УпаковкаTube
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
03.05.2024
02.05.2024